半導體晶圓廠在晶圓制造制程中使用到的化學物質種類繁多，所用到的原物料或副產物含有多種有害性氣體，在制程后出現殘留成為廢氣，尾氣處理設備(Local Scrubber)設置目的，就是為了處理諸如此類的有害性氣體。

半導體制程中使用氣體

依據相關規定爆炸下限在百分之十以下或爆炸上限與下限之差在百分之二十以上之氣體，在半導體廠使用的有：AsH3、B2H6、SiH4、SiH2Cl2、Si2H6、SiHCl3、GeH4、PH3、NH3、H2、H2Se、H2S等；

依據相關規定容許濃度在百萬分之二百以下之毒性氣體在半導體廠使用的有：AsH3、AsCl3、B2H6、BF3、CL2、SiH4、SiF4、NH3、CCl4、HBr、HF、PCl3、POCL3、GeH4、PF3、HCl、PH3、H2Se、H2S等。

其中包括多種特殊金屬與氫化物如SIH4、WF6等物質；同時為了保持機臺的溫度控制、抗化學反應的潤滑與特殊需求，也會使用較高分子的PFCs等溫室氣體。這些有害性氣體及全氟化合物，有很多是具有兩項以上之特性，如酸堿性氣體，一般而言亦同時具有毒性;又如PH3則具有腐蝕性和毒性外，亦具有可燃性，且對環境及人體的危害相當大。這些制程后殘存的氣體如果于管線中反應，輕者可能造成風管堵塞、管路腐蝕等問題，嚴重者甚至發生泄漏及火災爆炸，停止生產的后果。

制程尾氣處理設備(Local Scrubber)設置目的

制程尾氣處理設備(Local Scrubber)設置之目的，就是為了處理諸如此類的有害性氣體，讓其在無塵室機臺端(POU)反應被排放出后，即由真空Pump抽至Local Scrubber做處理，避免在冗長的排氣過程中引發非預期的氣體泄漏，局部聚積或相互反應。待處理過后的氣體再接續至廠務端做第二道處置，以減少廠務端污染物處理上的負荷，達到對半導體業空氣污染管制及排放的標準。

倘若其一旦有故障進而發生泄漏的問題，很可能會導致各種危害如火災爆炸、人員中毒、環境破壞等傷害，嚴重時更可能造成人員傷亡或生產中斷等巨大損失，所以國內各晶圓廠莫不藉由各種管理方式，來達到制程尾氣區域處理設備的危害控制。

綜上所述，制程尾氣處理設備Local Scrubber設置目的是為了，可以行之有效的處理制程中的有害性氣體殘留，避免風管堵塞、管路腐蝕、發生泄漏及火災爆炸，停止生產等問題事故的發生。