深圳沃飛科技有限公司成立于2011年，是一家專業從事氣體系統工程設計安裝、技術服務咨詢和配套產品生產銷售為一體的國家高新技術企業。公司擁有國家建筑機電安裝工程專業承包資質、GC2壓力管道設計安裝資質，建筑施工安全生產許可證等專業資質。總部位于深圳，旗下有武漢子公司、香港子公司以及西安辦事處。為客戶提供大宗氣體系統、電子特氣系統、實驗室氣路系統、工業集中供氣系統、潔凈氣體管道、高純化學品供液系統、Local Scrubber尾氣處理系統及機電項目安裝等工程項目設計安裝交鑰匙式高性能和高質量的解決方案。工程項目覆蓋半導體、集成電路、光電、新能源、微電子、光纖、生物醫藥、科研所、標準檢測、高校院校等高技術領域行業。

外延生長實際上主要是一個化學反應過程。硅外延生長使用的主要氣源是氫氣和氯硅烷類，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，為了降低生長溫度，也經常使用硅烷作為氣源。選擇使用哪種氣源主要由生長條件和外延層的規格來決定的，其中生長溫度是選擇氣源種類時要考慮的最重要因素。硅外延層生長速度和生長溫度的關系。

需要注意的是還原和腐蝕過程是相互競爭的，這主要決定于反應物的摩爾比和生長溫度。在大氣壓下，以SiCl4和H2為反應物并在總壓強為1.01×l05Pa（1大氣壓）的情況下，腐蝕和沉積的分界線與生長溫度和SiCl4分壓的關系。另外的研究也給出了以SiCl4和H2為硅外延的反應物時，生長速度和溫度的關系，如圖2.2-31表示。從圖中可以看出在低溫和高溫下發生的是腐蝕過程。因此在這種情況下，外延溫度通常選在1 100～1300℃。為了得到了較厚的外延層，通常會選擇SiHCl3作為氣源，主要是因為它的沉積速度比SiCl4的快。

SiCl4作為外延氣源時所涉及的化學反應不同，采用SiH4氣源時的熱分解反應是不可逆的，其過程可以用、和其他任何氯硅烷相比，硅烷的主要優點是在相對較低的溫度下可以得到硅外延層。但是由于硅烷的同質反應，很難避免硅的氣相成核。因此在生長過程中將會形成硅顆粒，從而導致粗糙的表面形貌甚至是多晶生長。這個問題可以通過控制生長溫度或者在低壓生長而得到解決。硅烷是一種易于氧化和爆炸的氣體，因此在傳統的硅外延中，它不被經常使用。而且，在以硅烷為氣源的生長過程中不存在HCl，因此不存在腐蝕這道工藝過程，從而導致外延層中含有更高濃度的金屬雜質。因此，在使用硅烷作為外延氣源時，需要采取非常仔細的預清洗工藝，而且硅烷氣體供氣系統需要找專業有資質的工程公司來設計選型和安裝。