集成電路制造中工藝廢氣，最難處理、排放最多的就是化學(xué)氣相沉積，簡(jiǎn)稱CVD。比如說(shuō)在某種型號(hào)DRAM的內(nèi)存芯片制作中（將近四百步的制作工序），CVD的有毒有害廢氣排放總量占據(jù)總排放量的三分之一，并且隨著技術(shù)的進(jìn)步，電路芯片的集成化會(huì)越來(lái)越高，相對(duì)應(yīng)的CVD產(chǎn)生的廢氣會(huì)越來(lái)越多。這些氣體如果未經(jīng)尾氣處理設(shè)備凈化達(dá)標(biāo)，就直接排放，便會(huì)對(duì)環(huán)境和周邊人員生命安全造成很大的危害。

CVD的廢氣種類(lèi)：

CVD具體指的是，氣態(tài)化學(xué)材料在硅片沉積成薄膜的一個(gè)過(guò)程，主要用于代替或者半導(dǎo)體的制造，還能夠制作成各種型號(hào)的薄膜層。

CVD生產(chǎn)的工藝廢氣大致可為沒(méi)有反應(yīng)的輸入氣體和反應(yīng)生成物兩種，其中反應(yīng)生成物又由中間生成物和反應(yīng)生成物兩種。有害氣體的成分復(fù)雜且含量極高，有較強(qiáng)的毒性和腐蝕性。CVD工藝廢氣中有毒且腐蝕性強(qiáng)的氣體有HCI和CIF3、HF和WF6，自燃性氣體有SiH4和PH3；化合物的氣體有CF4和SF6、C3F8和NF3以及C2F6等。

在這些廢氣當(dāng)中的特殊氣體，如有毒、腐蝕性強(qiáng)的氣體的危害是非常大的，自燃性氣體同樣有著很大的安全隱患；同時(shí)其中的化合物的氣體大部分都是能夠造成溫室效應(yīng)的氣體，因此在現(xiàn)在可持續(xù)發(fā)展和節(jié)能減排的要求下，一定要讓尾氣處理設(shè)備進(jìn)行處理才能進(jìn)行排放。

尾氣處理設(shè)備是什么？

尾氣處理設(shè)備是通過(guò)不同的處理工藝，來(lái)回收或去除、減少排放尾氣的有害成分，達(dá)到保護(hù)環(huán)境和周邊人員健康目的的一種環(huán)保設(shè)備。

常見(jiàn)的尾氣處理工藝有水洗式、氧化式、吸附式及等離子燃燒式等，其中吸附式是通過(guò)吸附材（活性炭、硅膠和各種分子篩）吸附治理廢氣中需處理的氣體部分，再通過(guò)變色球上的指示劑來(lái)檢驗(yàn)廢氣的排放是否合格。吸附式可處理廢氣種類(lèi)多樣，處理過(guò)程中無(wú)廢水無(wú)明火等，是泛半導(dǎo)體行業(yè)中一種常用的尾氣處理設(shè)備。

近十年來(lái)，集成電路產(chǎn)業(yè)在我國(guó)得到了迅速的發(fā)展，隨著產(chǎn)業(yè)規(guī)模的持續(xù)擴(kuò)大，隨之而產(chǎn)生的各種污染物也在不斷引起企業(yè)和國(guó)家等方面的高度重視。集成電路產(chǎn)生的污染物主要有生產(chǎn)廢水，工藝廢氣，生活污水，動(dòng)力設(shè)備噪音和固體廢物等。這些污染物必須進(jìn)行尾氣處理設(shè)備有效處理，才能提供安全的工作環(huán)境及保護(hù)周邊的環(huán)境生態(tài)。